SI7112DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7112DN-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.75 |
10+ | $1.571 |
100+ | $1.263 |
500+ | $1.0376 |
1000+ | $0.8598 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 17.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2610 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.3A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI7112 |
SI7112DN-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI7112DN-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
VISHAY QFN
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212
VISHAY PowerPAKSO-8
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8
VISHAY DFN
VISHAY QFN8
VISHAY QFN8
VISHAY PowerPAKSO-8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7112DN-T1-E3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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